1.本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管。
背景技术：
2.在半导体制造过程中，尤其是半导体热处理工艺中，立式炉由于其占地面积小，处理效率高得到广泛的应用。立式炉中通常采用立式晶舟作为承载工具，用于晶圆或芯片的传送及加工。一般的晶舟材质采用石英或碳化硅材料，适用于不同温区的热处理工艺。
3.低压化学气相沉积(lpcvd)作为一种常用的半导体热处理工艺，广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅等膜层的沉积。现有技术中的半导体热处理方法及立式炉管，存在一定的缺陷。现有技术中在处理teos(正硅酸乙酯)在高温状态下，采用直立式低压化学气相沉积炉管生成氧化硅(sio2)时，在沉积过程中由于沉积速率问题导致不同位置产品的膜厚会有所不同，而这些差异不能通过简单的温度调整来消除它，而制备的膜厚度不均匀的产品，会在后续导致半导体产品良率的降低，增大了品控难度。
4.因此，如何改善半导体产品膜厚度不均匀的技术问题，提高产品良率，成为了亟待解决的技术问题。
技术实现要素：
5.本技术提供一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管，用于改善半导体产品膜厚度不均匀的技术问题。
6.本技术提供了一种采用立式炉管的半导体热处理方法，包括：在立式炉管的晶舟内放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；在所述晶舟下方的进气盘承载支架内交错放置进气盘。
7.在一些实施例中，所述晶舟从上到下依次划分为第一挡片区、晶圆区以及第二挡片区，其中，所述第一挡片区具有第一数量的槽位，所述第二挡片区具有第二数量的槽位。
8.在一些实施例中，放置在所述第一挡片区内的挡片数量等于所述第一数量，放置在所述第二挡片区中的挡片数量少于所述第二数量。
9.在一些实施例中，所述进气盘承载支架内具有第三数量槽位，放置在所述进气盘承载支架内的进气盘数量少于所述第三数量。
10.在一些实施例中，在所述进气盘承载支架内交错放置的各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm。
11.在一些实施例中，将所述挡片在所述第二挡片区内分散放置或间隔放置。
12.在一些实施例中，将所述进气盘在所述进气盘承载支架内分散放置或间隔放置。
13.在一些实施例中，所述采用立式炉管的半导体热处理方法采用直立式低压化学气相沉积炉管通入正硅酸乙酯，加热晶圆以在晶圆表面形成二氧化硅膜。
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声明：
“采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：长鑫存储技术有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
