采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管与流程

1.本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管。

背景技术：

2.在半导体制造过程中，尤其是半导体热处理工艺中，立式炉由于其占地面积小，处理效率高得到广泛的应用。立式炉中通常采用立式晶舟作为承载工具，用于晶圆或芯片的传送及加工。一般的晶舟材质采用石英或碳化硅材料，适用于不同温区的热处理工艺。

3.低压化学气相沉积(lpcvd)作为一种常用的半导体热处理工艺，广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅等膜层的沉积。现有技术中的半导体热处理方法及立式炉管，存在一定的缺陷。现有技术中在处理teos(正硅酸乙酯)在高温状态下，采用直立式低压化学气相沉积炉管生成氧化硅(sio2)时，在沉积过程中由于沉积速率问题导致不同位置产品的膜厚会有所不同，而这些差异不能通过简单的温度调整来消除它，而制备的膜厚度不均匀的产品，会在后续导致半导体产品良率的降低，增大了品控难度。

4.因此，如何改善半导体产品膜厚度不均匀的技术问题，提高产品良率，成为了亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

5.本技术提供一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管，用于改善半导体产品膜厚度不均匀的技术问题。

6.本技术提供了一种采用立式炉管的半导体热处理方法，包括：在立式炉管的晶舟内放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；在所述晶舟下方的进气盘承载支架内交错放置进气盘。

7.在一些实施例中，所述晶舟从上到下依次划分为第一挡片区、晶圆区以及第二挡片区，其中，所述第一挡片区具有第一数量的槽位，所述第二挡片区具有第二数量的槽位。

8.在一些实施例中，放置在所述第一挡片区内的挡片数量等于所述第一数量，放置在所述第二挡片区中的挡片数量少于所述第二数量。

9.在一些实施例中，所述进气盘承载支架内具有第三数量槽位，放置在所述进气盘承载支架内的进气盘数量少于所述第三数量。

10.在一些实施例中，在所述进气盘承载支架内交错放置的各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm。

11.在一些实施例中，将所述挡片在所述第二挡片区内分散放置或间隔放置。

12.在一些实施例中，将所述进气盘在所述进气盘承载支架内分散放置或间隔放置。

13.在一些实施例中，所述采用立式炉管的半导体热处理方法采用直立式低压化学气相沉积炉管通入正硅酸乙酯，加热晶圆以在晶圆表面形成二氧化硅膜。

14.本技术还提供了一种立式炉管，包括：晶舟，所述晶舟内用于放置晶圆和挡片，所

述挡片位于所述晶圆的上方和下方；进气盘承载支架，设置在所述晶舟的下方，所述进气盘承载支架内具有交错放置的进气盘。

15.在一些实施例中，所述晶舟从上到下依次划分为第一挡片区、晶圆区、第二挡片区，其中，所述第一挡片区具有第一数量槽位，所述第二挡片区具有第二数量槽位。

16.在一些实施例中，所述第二数量少于所述第一数量。

17.在一些实施例中，所述进气盘承载支架内具有第三数量槽位，放置在所述进气盘承载支架内的进气盘数量少于所述第三数量。

18.在一些实施例中，在所述进气盘承载支架内交错放置的各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm。

19.在一些实施例中，所述进气盘承载支架为圆柱状，所述进气盘承载支架的直径为330mm～350mm。

20.在一些实施例中，所述进气盘承载支架为螺旋状，所述进气盘承载支架分层设置阶梯，用于交错放置所述进气盘；所述进气盘承载支架的高度为200mm-400mm，所述进气盘承载支架每层的直径为310mm-340mm。

21.在一些实施例中，所述进气盘承载支架采用金属材料。

22.在一些实施例中，所述进气盘的材料采用石英，所述进气盘的直径为300mm。

23.本技术通过一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管，改善了半导体产品膜厚度不均匀的技术问题，提高产品良率。

附图说明

24.为了更清楚地说明申请具体实施方式的技术方案，下面将对本技术具体实施方式中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些具体实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

25.附图1所示为本技术一具体实施方式提供的立式炉管的示意图。

26.附图2所示为一具体实施方式提供的进气盘承载支架的示意图。

27.附图3a-3b所示为本技术另一具体实施方式提供的进气盘承载支架的示意图。

28.附图4a-4d所示为本技术一具体实施方式提供的晶舟的示意图。

29.附图5所示为本技术一具体实施方式提供的采用立式炉管的半导体热处理方法步骤图。

具体实施方式

30.下面将结合本技术具体实施方式中的附图，对本技术具体实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的具体实施方式仅仅是本技术一部分具体实施方式，而不是全部的具体实施方式。基于本技术中的具体实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他具体实施方式，都属于本技术保护的范围。

31.为了改善半导体产品膜厚度不均匀的技术问题，提高产品良率，本技术具体实施方式提供一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管。在本技术的一种具体实施方式中，所述半导体热处理方法采用的设备即为所述立式炉管，故下面首先对本技术具体实

施方式所提供的一种立式炉管进行介绍。

32.附图1所示为本技术一具体实施方式提供的立式炉管的示意图。

33.参考附图1所示，本技术提供的一种立式炉管，包括：晶舟10，所述晶舟10内用于放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；进气盘承载支架104，设置在所述晶舟10的下方，所述进气盘承载支架内具有交错放置的进气盘。所述立式炉管还包括气泵105，以及与气泵105相连通的排气管道。气体从进气口11处进入立式炉管，沿箭头所示方向流动，最终经气泵105及排气管道排出立式炉管。其中，气泵105为气体在立式炉管中流动提供动力，气体经过晶舟内的晶圆和挡片，以及下方的进气盘表面，保持温度的相对统一，为晶圆表面的低压化学气相沉积(lpcvd)提供适合的温度环境。

34.在本技术一具体实施方式中，所述晶舟10从上到下依次划分为第一挡片区101、晶圆区102、第二挡片区103，其中，所述第一挡片区101具有第一数量槽位，所述第二挡片区103具有第二数量槽位。所述第一挡片区101及第二挡片区103用于放置挡片，所述晶圆区102用于放置晶圆。在本技术一具体实施方式中，所述第二数量少于所述第一数量。在本技术的其他具体实施方式中，所述第二数量也可大于第一数量，或等于第二数量。

35.在本技术一具体实施方式中，所述晶圆和挡片按照槽位数量放置；在本技术另一具体实施方式中，放置在所述第一挡片区内101的挡片数量等于所述第一数量，放置在所述第二挡片区103中的挡片数量少于所述第二数量。在本技术的其他具体实施方式中，所述晶圆或第一挡片区101内的挡片的数量也可小于设计的槽位数量，即空出一部分槽位；挡片或者晶圆数量小于槽位的放置方法有促进空气流动、改善膜厚度均一性的有益效果。其中，放置在所述第二挡片区103中的挡片数量少于所述第二数量的具体实施方式，在不降低产量的同时，其改善膜厚度均一性的效果最显著。

36.附图2所示为本技术一具体实施方式提供的进气盘承载支架的示意图。所述进气盘承载支架包括固定环201和支撑杆202，所述固定环201包括上下两部分，为环形结构，中间的镂空处便于气体的流通；所述支撑杆202为直杆结构，所述支撑杆202上设置有向所述进气盘承载支架内部突出的支撑结构203。所述支撑结构203在竖直方向上分散设置，不同高度的支撑结构203用于固定不同的进气盘204；在水平方向，不同支撑杆202在同一水平面设置有三个或三个以上的支撑结构203，用以固定该水平面上的进气盘204。

37.所述进气盘承载支架的尺寸与进气盘的尺寸相匹配，所述进气盘承载支架的直径为305mm，所述进气盘204的直径为300mm，以便进气盘204的取送。但由于所述进气盘承载支架的直径仅比所述进气盘204的直径大5mm，所述进气盘204只能按照圆心呈直线的方式竖直排列，进气盘之204间空隙狭小，不利于空气的流通。

38.为了改善这一问题，本技术其他具体实施方式的所述的进气盘承载支架，设置为能够使进气盘交错放置，使所述进气盘螺旋排列，加大进气盘之间的空气间隙，利于空气的流通。在本技术一具体实施方式中，在所述进气盘承载支架内交错放置的各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm。本技术采用增大所述进气盘承载支架直径或者提供螺旋型进气盘承载支架的方式，达到使所述进气盘交错放置的目的。附图3a-3b所示即为本技术另一具体实施方式提供的进气盘承载支架的示意图。

39.附图3a所示为本技术另一具体实施方式提供的进气盘承载支架的示意图。参考附图3a所示，在本技术一具体实施方式中，所述进气盘承载支架为圆柱状，所述进气盘承载支

架的直径为330mm～350mm。所述进气盘的材料采用石英，所述进气盘204的直径为300mm。所述进气盘204的直径小于所述进气盘承载支架的直径，两者之间具有足够的空隙，使得所述进气盘204在所述进气盘承载支架内交错放置，即所述进气盘204的圆心之间连线为曲线，增大进气盘204之间的空隙，有益于空气流通。在本技术一具体实施方式中，所述进气盘承载支架的高度为200mm-400mm。所述进气盘承载支架采用金属材料。

40.在本具体实施方式中，所述进气盘承载支架内具有第三数量槽位，放置在所述进气盘承载支架内的进气盘204数量少于所述第三数量。同样有增大空隙，便于空气流通的作用。在本技术其他具体实施方式中，所述进气盘204的数量也可与所述第三数量槽位相同。

41.在本技术一具体实施方式中，所述进气盘承载支架包括固定环201和支撑杆202，所述固定环201包括上下两部分，为环形结构，中间的镂空处便于气体的流通；所述支撑杆202为直杆结构，所述支撑杆202上设置有向所述进气盘承载支架内部突出的支撑结构203。所述支撑结构203在竖直方向上分散设置，不同高度的支撑结构203用于固定不同的进气盘204；在水平方向，不同支撑杆202在同一水平面设置有三个或三个以上的支撑结构203，用以固定该水平面上的进气盘204。

42.在本具体实施方式中，所述进气盘承载支架包括四条支撑杆202，每个支撑杆202在每个放置进气盘204的水平面上都设置有一个支撑结构203。但在其他的具体实施方式中，所述进气盘承载支架还可以包括三条、五条、或五条以上数量的支撑杆202；不同支撑杆202在同一水平面设置有三个或三个以上的支撑结构203即可，即在不需要每个支撑杆202在每个放置进气盘204的水平面上都设置有一个支撑结构203。

43.附图3b所示为本技术另一具体实施方式提供的进气盘承载支架的示意图。在另一具体实施方式中，参考附图3b所示，所述进气盘承载支架为螺旋状，所述进气盘承载支架分层设置阶梯，用于交错放置所述进气盘；所述进气盘承载支架的高度为200mm-400mm，所述进气盘承载支架每层的直径为310mm-340mm。在本技术一具体实施方式中，所述进气盘承载支架采用金属材料。所述进气盘的材料采用石英，所述进气盘204的直径为300mm。由于所述进气盘承载支架为螺旋状，所述进气盘204在所述进气盘承载支架内呈交错放置，即所述进气盘204的圆心之间连线为曲线，增大进气盘204之间的空隙，有益于空气流通。

44.在本具体实施方式中，所述进气盘承载支架包括固定环201和支撑杆202，所述固定环201包括上下两部分，为环形结构，中间的镂空处便于气体的流通；所述支撑杆202为s型，所述支撑杆202上设置有向所述进气盘承载支架内部突出的支撑结构203。所述支撑结构203在竖直方向上分散设置，不同高度的支撑结构203用于固定不同的进气盘204；在水平方向，不同支撑杆202在同一水平面设置有三个或三个以上的支撑结构203，用以固定该水平面上的进气盘204。由于s型支撑杆202形成的螺旋状进气盘承载支架，每个放置进气盘204的平面直径相同，即进气盘承载支架每层的直径为310mm-340mm。螺旋状的结构使得进气盘204呈交错状放置，气流穿过进气盘204之间的空隙更为容易；使得热处理过程中进气盘204表面不同位置处、以及不同的进气盘204之间的温度都更加均匀，有利于优化进气盘204表面成膜的均一性。

45.在本具体实施方式中，所述进气盘承载支架包括四条支撑杆202，每个支撑杆202在每个放置进气盘204的水平面上都设置有一个支撑结构203。但在其他的具体实施方式中，所述进气盘承载支架还可以包括三条、五条、或五条以上数量的支撑杆202；不同支撑杆

202在同一水平面设置有三个或三个以上的支撑结构203即可，即在不需要每个支撑杆202在每个放置进气盘204的水平面上都设置有一个支撑结构203。

46.本技术还提供一种采用立式炉管的半导体热处理方法。附图5所示为本技术一具体实施方式提供的采用立式炉管的半导体热处理方法步骤图，包括如下步骤：步骤s51，在立式炉管的晶舟内放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；步骤s52，在所述晶舟下方的进气盘承载支架内交错放置进气盘。

47.请参阅步骤s51及图1，在立式炉管的晶舟10内放置进气盘和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方。在本技术一具体实施方式中，所述晶舟10从上到下依次划分为第一挡片区101、晶圆区102以及第二挡片区103，其中，所述第一挡片区101具有第一数量的槽位，所述第二挡片区103具有第二数量的槽位。述第一挡片区101及第二挡片区103用于放置挡片，所述晶圆区102用于放置晶圆。所述晶舟10下方还包括进气盘承载支架104，用于承载进气盘。所述立式炉管还包括气泵105，以及与气泵105相连通的排气管道。气体从进气口11处进入立式炉管，沿箭头所示方向流动，最终经气泵105及排气管道排出立式炉管。其中，所述立式炉管仅为示意图，所述进气盘承载支架的详细结构已在上述立式炉管的具体实施方式中进行了详细说明，因此在方法部分不再赘述。

48.请参阅步骤s52及图1，在所述晶舟10下方的进气盘承载支架104内交错放置进气盘。所述进气盘承载架104，设置为能够使进气盘交错放置；所述进气盘采用石英材料。在本技术一具体实施方式中，所述进气盘承载支架104内具有第三数量槽位，放置在所述进气盘承载支架104内的进气盘数量少于所述第三数量。可以通过减少放置进气盘的数量，增大空隙，改善半导体产品膜厚度不均匀的问题。

49.附图1中的箭头示意气体流动方向，所述进气盘承载支架能够让更多的气体从进气盘之间的空隙流过，增加气体的流动距离，延长气体的加热时间，从而减小气体在晶圆表面的温度差，这样能够更好的完成半导体表面的膜层沉积，得到厚度均一的膜层。改善了半导体产品膜厚度不均匀的技术问题，提高产品良率。

50.在本具体实施方式中，所述采用立式炉管的半导体热处理方法采用直立式低压化学气相沉积炉管通入正硅酸乙酯，加热晶圆以在晶圆表面形成二氧化硅膜。气泵105为气体在立式炉管中流动提供动力，气体经过晶舟内的晶圆和挡片，以及下方的进气盘表面，保持温度的相对统一，为晶圆表面的低压化学气相沉积(lpcvd)提供适合的温度环境。

51.此外，还通过将所述挡片在所述第二挡片区103内分散放置或间隔放置。以增加气体的流动距离，让更多气体从缝隙流过。通过采用不同的进气盘承载支架104，能够得到将所述挡片在所述第二挡片区103内分散放置或间隔放置的效果。

52.在本技术一具体实施方式中，所述进气盘承载支架内具有第三数量槽位，放置在所述进气盘承载支架内的进气盘数量少于所述第三数量。增大进气盘之间的空隙，便于空气流通的作用。在本技术请其他具体实施方式中，所述进气盘204的数量也可与所述第三数量槽位相同。

53.本技术所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，还可以通过采用本技术一具体实施方式所述的进气盘承载支架来大进气盘之间的空隙，即采用增大所述进气盘承载支架直径或者采用螺旋型进气盘承载支架的方式，达到使所述进气盘交错放置的目的。附图3a-3b所示即为本技术另一具体实施方式提供的进气盘承载支架的示意图。

54.在本技术一具体实施方式中，参考附图3a所示，所述进气盘承载支架为圆柱状，所述进气盘承载支架的直径为330mm～350mm，所述进气盘承载支架的高度为200mm-400mm。在本技术一具体实施方式中，所述进气盘承载支架采用金属材料。所述进气盘的材料采用石英，所述进气盘直径为300mm，通过将所述进气盘在所述进气盘承载支架内分散放置或间隔放置，同样可达到所述进气盘承载支架内交错放置，即所述进气盘204的圆心之间连线为曲线，各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm，增大空气流通的间隙。

55.在本技术一具体实施方式中，所述进气盘承载支架包括固定环201和支撑杆202，所述固定环201包括上下两部分，为环形结构，中间的镂空处便于气体的流通；所述支撑杆202为直杆结构，所述支撑杆202上设置有向所述进气盘承载支架内部突出的支撑结构203。所述支撑结构203在竖直方向上分散设置，不同高度的支撑结构203用于固定不同的进气盘204；在水平方向，不同支撑杆202在同一水平面设置有三个或三个以上的支撑结构203，用以固定该水平面上的进气盘204。

56.在本技术另一具体实施方式中，参考附图3b所示，所述进气盘承载支架104设置为能够使进气盘交错放置，使所述进气盘螺旋排列，加大进气盘之间的空气间隙，利于空气的流通。在本技术一具体实施方式中，在所述进气盘承载支架内交错放置的各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm。本技术采用增大所述进气盘承载支架直径或者提供螺旋型进气盘承载支架的方式，达到使所述进气盘交错放置的目的。在本技术一具体实施方式中，所述进气盘承载支架采用金属材料。所述进气盘的材料采用石英；所述进气盘承载支架的高度为200mm-400mm，所述进气盘承载支架每层的直径为310mm-340mm。将所述进气盘在所述进气盘承载支架内分散放置或间隔放置。，在所述进气盘承载支架内交错放置的各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm。

57.在本具体实施方式中，所述进气盘承载支架包括固定环201和支撑杆202，所述固定环201包括上下两部分，为环形结构，中间的镂空处便于气体的流通；所述支撑杆202为s型，所述支撑杆202上设置有向所述进气盘承载支架内部突出的支撑结构203。所述支撑结构203在竖直方向上分散设置，不同高度的支撑结构203用于固定不同的进气盘204；在水平方向，不同支撑杆202在同一水平面设置有三个或三个以上的支撑结构203，用以固定该水平面上的进气盘204。由于s型支撑杆202形成的螺旋状进气盘承载支架，每个放置进气盘204的平面直径相同，即进气盘承载支架每层的直径为310mm-340mm。螺旋状的结构使得进气盘204呈交错状放置，气流穿过进气盘204之间的空隙更为容易；使得热处理过程中进气盘204表面不同位置处、以及不同的进气盘204之间的温度都更加均匀，有利于优化进气盘204表面成膜的均一性。

58.为了进一步优化半导体表面成膜的均一性，还可以采用减少第二挡片区103槽位数量的方法。参考附图4a-4d所示，附图4a-4d所示为本技术一具体实施方式提供的晶舟的示意图。

59.附图4a为本技术一具体实施方式提供的晶舟的示意图。晶舟10内放置晶圆和挡片，所述晶圆位于中部的晶圆区102，所述挡片位于所述晶圆上方的第一挡片区101和晶圆下方的第二挡片区103；所述进气盘承载支架104采用柱状的进气盘承载支架。所述进气盘承载支架的尺寸与进气盘的尺寸相匹配，所述进气盘204的直径为300mm，所述进气盘承载支架的的直径为305mm。

60.附图4b为本技术另一具体实施方式提供的晶舟的示意图，该具体实施方式与图4a所示的具体实施方式的区别是，所述第二挡片区103内的第二数量槽位减少，使得第二挡片区103的空隙增大，挡片之间空隙增大，有利于空气流通。通过多次试验得到以下数据，与附图4a所示的具体实施方式相比，当第二挡片区103内的第二数量槽位减少10％时，产品的膜厚度均一性提高3％-16％；当第二挡片区103内的第二数量槽位减少50％时，产品的膜厚度均一性提高8％-19％。通过该设备进行热处理得到的半导体产品膜厚度不均匀的问题得到改善，产品良率提高。

61.附图4c为本技术另一具体实施方式提供的晶舟的示意图，该具体实施方式与图4a所示的具体实施方式的区别是，将进气盘承载支架104更换为附图3b所示的进气盘承载支架，螺旋形的进气盘承载支架104内具有交错放置的进气盘。使得进气盘承载支架104的空隙增大，进气盘之间空隙增大，有利于空气流通。通过多次试验得到以下数据，与附图4a所示的具体实施方式相比，当进气盘交错放置，上下两晶圆的圆心偏移10mm时，产品的膜厚度均一性提高4.5％-14％。

62.附图4d为本技术另一具体实施方式提供的晶舟的示意图，该具体实施方式与图4a所示的具体实施方式的区别是，所述第二挡片区103内的第二数量槽位减少，且将进气盘承载支架104更换为附图3b所示的进气盘承载支架，螺旋形的进气盘承载支架104内具有交错放置的进气盘。本具体实施方式提供的晶舟性能提升明显，在附图4a-附图4d所提供的具体实施方式中，本具体实施方式的产品膜厚度最均匀。表明增大挡片之间的空隙与增大进气盘之间的空隙均能提供改善产品性能的效果。

63.上述技术方案增大了立式炉内的间隙，增加了气体的流动距离，延长气体的加热时间，从而减小气体在晶圆表面的温度差，这样能够更好的完成半导体表面的膜层沉积，得到厚度均一的膜层。改善了半导体产品膜厚度不均匀的技术问题，提高产品良率。

64.需要说明的是，在本文中，诸如第二和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或者操作之间存在任何这种实际的关系或顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，有语句“还包括一个

……”

限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

65.本说明书中的各个具体实施方式均采用相关的方式描述，各个具体实施方式之间相同相似的部分互相参见即可，每个具体实施方式重点说明的都是与其他具体实施方式的不同之处。尤其，对于采用立式炉管的半导体热处理方法的具体实施方式而言，由于其采用的热处理设备基于立式炉管具体实施方式，所以描述的比较简单，相关之处参见立式炉管具体实施方式的部分说明即可。

66.以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。技术特征：

1.一种采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，包括：在立式炉管的晶舟内放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；在所述晶舟下方的进气盘承载支架内交错放置进气盘。2.根据权利要求1所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，所述晶舟从上到下依次划分为第一挡片区、晶圆区以及第二挡片区，其中，所述第一挡片区具有第一数量的槽位，所述第二挡片区具有第二数量的槽位。3.根据权利要求2所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，放置在所述第一挡片区内的挡片数量等于所述第一数量，放置在所述第二挡片区中的挡片数量少于所述第二数量。4.根据权利要求1所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，所述进气盘承载支架内具有第三数量槽位，放置在所述进气盘承载支架内的进气盘数量少于所述第三数量。5.根据权利要求1所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，在所述进气盘承载支架内交错放置的各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm。6.根据权利要求3所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，将所述挡片在所述第二挡片区内分散放置或间隔放置。7.根据权利要求4所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，将所述进气盘在所述进气盘承载支架内分散放置或间隔放置。8.根据权利要求1所述的采用立式炉管的半导体热处理方法，其特征在于，所述采用立式炉管的半导体热处理方法采用直立式低压化学气相沉积炉管通入正硅酸乙酯，加热晶圆以在晶圆表面形成二氧化硅膜。9.一种立式炉管，其特征在于，包括：晶舟，所述晶舟内用于放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；进气盘承载支架，设置在所述晶舟的下方，所述进气盘承载支架内具有交错放置的进气盘。10.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述晶舟从上到下依次划分为第一挡片区、晶圆区、第二挡片区，其中，所述第一挡片区具有第一数量槽位，所述第二挡片区具有第二数量槽位。11.根据权利要求10所述的立式炉管，其特征在于，所述第二数量少于所述第一数量。12.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述进气盘承载支架内具有第三数量槽位，放置在所述进气盘承载支架内的进气盘数量少于所述第三数量。13.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，在所述进气盘承载支架内交错放置的各所述进气盘轴心在水平方向的距离为10mm～50mm。14.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述进气盘承载支架为圆柱状，所述进气盘承载支架的直径为330mm～350mm。15.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述进气盘承载支架为螺旋状，所述进气盘承载支架分层设置阶梯，用于交错放置所述进气盘；所述进气盘承载支架的高度为200mm-400mm，所述进气盘承载支架每层的直径为310mm-340mm。16.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述进气盘承载支架采用金属材料。

17.根据权利要求9所述的立式炉管，其特征在于，所述进气盘的材料采用石英，所述进气盘的直径为300mm。

技术总结

本申请提供一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管。所述采用立式炉管的半导体热处理方法包括：在立式炉管的晶舟内放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；在所述晶舟下方的进气盘承载支架内交错放置进气盘。所述立式炉管包括：晶舟，所述晶舟内用于放置晶圆和挡片，所述挡片位于所述晶圆的上方和下方；进气盘承载支架，设置在所述晶舟的下方，所述进气盘承载支架内具有交错放置的进气盘。本申请通过一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管，改善了半导体产品膜厚度不均匀的技术问题，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

技术研发人员：李锋

受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司

技术研发日：2022.03.10

技术公布日：2022/7/4