cvd流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法
技术领域
1.本发明涉及化学气相沉积设备技术领域，具体涉及一种cvd流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法。
背景技术：
2.硅负极材料由于其较高的理论容量(4200mah/g)、较低放电平台以及储量丰富等优势，成为当前最有可能替代传统石墨负极材料的新一代负极材料。
3.硅沉积在太阳能合成多晶硅或无定型硅中较为常见，通过通入硅烷(sih4)或者(sihcl3)等硅源，在硅棒或者籽晶粒表面沉积硅，并长大形成硅柱或硅锭。该反应通过控制钟罩炉中的温度、气氛浓度、压差，达到沉积效果，实现硅纯度大于99.999％以上硅棒沉积。
4.目前，主流的硅负极材料合成方案较为复杂，专利cn107785560a公开了一种通过混捏和压制制备硅碳负极材料的方法，其合成工艺包括硅与石墨等碳复合、沥青等无定型碳包覆、破碎过筛、压制成型等；合成工艺较为复杂，虽一定程度上可解决硅碳应用中部分问题，但工艺复杂设备成本高，且纳米硅制备存在明显产能瓶颈。
技术实现要素：
5.本发明要解决的技术问题是克服现有技术存在的不足，提供一种能够实现较好包覆、工作可靠、自动化程度高、生产效率高、结构简单紧凑、成本低的cvd流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法。
6.为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
7.一种cvd流化沉积装置，包括具有反应腔的流化床，所述反应腔内安装有用于加热反应腔的加热装置和用于收集流化沉积材料的收集料斗，所述流化床连接有用于向反应腔中输送碳基材料的碳基材料输送机构、用于向反应腔中输送硅源气体及还原气体的气相材料输送机构、用于向反应腔中输入载气的载气输送机构和用于回收余料的负压回收组件，所述反应腔内设有将反应腔分隔为流化腔和出料腔的导流板，所述碳基材料输送机构、气相材料输送机构和负压回收组件均与所述流化腔连通，所述载气输送机构与所述出料腔连通。
8.上述的cvd流化沉积装置，优选的，所述流化腔包括直筒段和连接于所述直筒段上端的扩径段，所述扩径段的内径由下至上逐渐增大，所述扩径段内设有分流板，所述过滤分流板为顶点朝上的锥形过滤板，所述负压回收组件与所述分流板上方的空间连通，所述碳基材料输送机构和气相材料输送机构均与所述直筒段连通。上述的cvd流化沉积装置，优选的，所述收集料斗包括集料腔和与所述集料腔连通的出料口，所述集料腔具有
声明：
“CVD流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：长沙矿冶研究院有限责任公司
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2025年05月23日 ~ 25日 
