n-topcon电池及其制作工艺
技术领域
1.本技术涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种n-topcon电池及其制作工艺。
背景技术：
2.n型topcon电池和hjt电池是当下比较热门的两大新型电池，n型topcon电池与现有的perc电池产线具有很好的兼容性。对于n型topcon太阳能电池，目前的主流制备工艺包括：硅片-制绒-正面硼扩散形成n型硅片-背面刻蚀-隧穿氧化-原位掺杂非晶硅-去绕镀-正面氧化铝-正面氮化硅-背面氮化硅-印刷烧结-测试分选。
3.p型太阳能电池的制备工艺中，需要对硅片进行磷扩散以使得硅片成为p型硅片，进行磷扩散的主要目的是为了形成pn结。而p型太阳能电池的寿命相较于n型太阳能电池寿命较短，现有技术中，有在常规p型太阳能电池的制作工艺前先通过磷扩散的方式吸杂，从而达到提高p型太阳能电池的转换效率，提高少子寿命。由于p型太阳能电池的制备工艺中，原本就需要进行磷扩散形成pn结，则可以利用原本的产线设备进行磷扩散除杂。
4.现有的n型topcon电池所使用的单晶硅片一般都不是100％的纯硅，其是带有一些杂质的具有一定纯度的硅片，这些杂质则会影响n型topcon电池的少子寿命。由于n型太阳能电池的少子寿命一般都比p型太阳能电池的少子寿命长，本领域人员通常不会去增加工艺来提升n型topcon电池的少子寿命，因为n型太阳能电池的少子寿命本身较高，则认为没有必要进行进一步提高了；另一方面，即使是有提升n型topcon电池的少子寿命和电池效率的手段，现有的一些提升n型topcon电池的少子寿命和电池效率的方式一般是通过镀钝化膜来实现的。
技术实现要素：
5.本技术提供了一种n-topcon电池及其制作工艺，该制作工艺能够有效提高硅片来料较差的n-topcon电池的少子寿命，增加电池效率。
6.本技术的实施例是这样实现的：
7.第一方面，本技术实施例提供一种n-topcon电池的制作工艺，包括：
8.s1：对硅片进行磷扩散以吸附硅片的杂质；
9.s2:去除硅片表面形成的磷硅玻璃；
10.s3：对硅片依次进行制绒、硼扩散形成pn结；
11.s4：对步骤s3得到的硅片进行后处理制得n-topcon电池。
12.在一种可能的实施方案中，对硅片进行磷扩散的步骤包括：在第一温度下通入磷源并将硅片保持在磷源气氛下，然后在第二温度下保
声明：
“N-TOPCon电池及其制作工艺的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：东方日升新能源股份有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
