1.本发明涉及纳米材料制备技术领域,具体涉及一种纳米银膜制备工艺及纳米银膜制备设备。背景技术:2.随着微电子领域及生物技术的发展,对于纳米级银膜的需求越来越强烈,现阶段制备银膜采用的是压延法制备工艺,此工艺仅能保证稳定的微米级银膜的供给,无法达到纳米级别,目前,采用化学还原法制备的银膜可以达到纳米级,但会产生大量的化学废液,污染环境,无法大量生产,因此现急需要一种绿色环保的生产纳米级银膜的方法。技术实现要素:3.为了提供一种绿色环保的生产纳米银膜的方法,本发明提供一种纳米银膜制备工艺及纳米银膜制备设备,该所述制备工艺包括如下步骤:4.s1、将可溶性材料制成的基膜平整的固定在磁控溅射设备上,张力锁紧;5.s2、将金属银通过磁控溅射工艺均匀附着在可溶性材料制成的基膜上,金属银附着完成后基膜收料;6.s3、将附着银膜的基膜在浸膜液中将基膜浸除,获得银膜;7.s4、将银膜脱水后收取。8.进一步的,所述步骤s1中,所述可溶性材料制成的基膜在20-30kgf/m张力作用下,表面无肉眼可见褶皱。9.进一步的,所述步骤s1中的可溶性材料为水溶性材料,所述步骤s3中的浸膜液为去离子水。10.进一步的,所述水溶性材料为直链淀粉、羧甲基纤维素钠、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮的其中一种。11.进一步的,所述步骤s1中,可溶性材料为聚偏氟乙烯,所述步骤s3中的浸除液为n-甲基吡咯烷酮。12.进一步的,所述步骤s2中,金属银附着在基膜的厚度在20nm-2000nm之间。13.进一步的,所述步骤s2中,金属银附着在基膜的厚度在50nm-500nm之间。14.进一步的,所述步骤s2中,金属银附着在基膜的厚度为30nm、60nm、90nm、200nm、600nm、800nm、1200nm、1500nm、1800nm、15.进一步的,所述去离子水的电导率5μs/cm以下,所述去离子水的温度为60-95℃。16.进一步的,所述水溶性材料为直链淀粉时所述去离子水的温度为70-95℃;所述水溶性材料为聚乙烯醇时所述去离子水的温度为65-85℃;所述水溶性材料为羧甲基纤维素钠时所述去离子水的温度为10-80℃;所述水溶性材料为聚乙烯吡咯烷酮时所述去离子水的温度为10-65℃。17.进一步的,所述步骤s4中的银膜脱水方式为自然干燥或加热干燥或风干。18.进一步的,所述步骤s4中的脱水是在真空环境下进行的。19.一种
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我是此专利(论文)的发明人(作者)