优先权
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本文描述了用于使用环二硅氮烷前体沉积保形的、化学计量或非化学计量的氮化硅膜的方法和组合物。更特别地，本文描述了使用环二硅氮烷前体的沉积工艺，例如但不限于等离子体增强原子层沉积(“peald”)、等离子体增强循环化学气相沉积(“peccvd”)，以及包含环二硅氮烷前体的用于沉积氮化硅膜的组合物。
背景技术：
低压化学气相沉积(lpcvd)工艺是半导体工业使用的用于氮化硅膜沉积的更为广泛接受的方法之一。使用氨的低压化学气相沉积(lpcvd)可能需要大于650℃的沉积温度以获得合理的生长速率和均匀性。通常使用较高的沉积温度以提供改进的膜性能。生长氮化硅的更常见的工业方法之一是在大于750℃的温度下使用硅烷、二氯化硅和/或氨作为前体，在热壁反应器内通过低压化学气相沉积。但是，使用这种方法具有若干缺点。例如，某些前体例如硅烷是自燃的。这在操作和使用中可能存在问题。而且，从二氯硅烷沉积的膜可能含有某些杂质，例如氯和氯化铵，其在沉积工艺期间作为副产物形成。
在氮化硅膜的沉积中使用的前体如双(叔丁基)硅烷(btbas)和氯代硅烷类通常在大于550℃的温度下沉积膜。然而，半导体装置的微型化趋势和低热预算需要低于400℃的工艺温度和更高的沉积速率。为了防止离子在晶格中的扩散，特别是对于那些包含金属化层的衬底和在多种ⅲ－ⅴ和ⅱ－ⅵ族装置上，应当降低硅膜沉积的温度。
美国公开号2013/183835(“＇835公开”)描述了在衬底上以低温形成保形氮化硅膜的方法和装置。形成氮化硅层的方法包括实施沉积循环，其包括使工艺气体混合物流入其中具有衬底的工艺室中，其中该工艺气体混合物包含具有不稳定的硅-氮、硅-碳或氮-碳键的前体气体分子，在约20℃至约480℃之间的温度下通过优先断裂不稳定的键活化该前体气体以提供沿着前体气体分子的一或多个反应位点，在衬底上形成前体材料层，其中活化的前体气体分子在一个或多个反应位点处与衬底的表面键合，以及在该前体材料层上进行等离子体处理过程以形成保形氮化硅层。
美国公开号2009/075490(“＇490公开”)描述了一种制备氮化硅膜的方法，其包括向反应室中引入硅晶片；向反应室中引入氮化硅化合物；用惰性气体吹扫反应室；以及在适
声明：
“用于沉积氮化硅膜的组合物和方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：弗萨姆材料美国有限责任公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
