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少层MoS2纳米片的制备方法

767   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:37:30
本发明涉及一种少层MoS2纳米片的制备方法,包括以下步骤:(1)往反应容器中加入锂离子插层剂、硫化钼和溶剂,水浴加热,得到水浴加热产物;(2)将步骤(1)得到的水浴加热产物再进行微波加热,冷却后得到黑色产物;(3)将步骤(2)得到的黑色产物分离、洗涤干净后,分散于去离子水中进行剥离;(4)将步骤(3)得到的剥离后的产物过滤、干燥后,即得到少层MoS2纳米片。与现有技术相比,本发明具有能源利用高效、制备工艺简单易行、制备时间端、产率高等优点。
声明:
“少层MoS2纳米片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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