本发明公开了一种基于表层和体相硅掺杂的三元
正极材料的制备方法,包括:将硅源溶于溶剂中,再将镍钴锰氢氧化物粉末溶解于其中搅拌均匀,然后蒸干溶剂,真空干燥,得前驱体;将前驱体与氢氧化锂倒入高混机中混合,混合后进行煅烧,得硅掺杂的三元正极材料;本发明还公开一种基于表层和体相硅掺杂的三元正极材料。本发明中通过镍钴锰氢氧化物粉末与硅源进行液相混合,并通过高温煅烧使硅掺杂进入体相晶格内部,以SiO44–的形式占据四面体位点,较强的Si‑O键键能可以稳定体相中的晶格氧,维持材料的层状结构,提升循环稳定性;同时,SiO44–具有较大的热化学半径,可以拓宽锂离子传输通道,提升材料的倍率性能,并降低了成本。
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