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助熔剂生长磷酸铝晶体的方法

876   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:22:12
本发明提供了一种助熔剂生长磷酸铝晶体的方法,以碳酸锂和磷酸二氢铵作助熔剂,以氧化铝及磷酸二氢铵为原料,将各试剂称量混合均匀后放入育晶器中,在生长炉中加热熔融,恒温24小时以上,冷却至溶液饱和点温度之上10-20℃;在高于溶液饱和点温度10-20℃时,将籽晶引入生长炉,置液面上方预热后下入熔体中,开始熔化后,将温度降至饱和点以上1-2℃,同时以30转/每分钟的旋转速率,24小时后开始降温,降温速率为0.2-0.4℃/天至1-2℃/天;45-50天后生长结束,从溶液中提出晶体,以30℃/小时的降温速率降至200℃后,自然冷却至室温。本发明可以有效的消除AlPO4晶体内部水的存在,提高晶体的压电性能。
声明:
“助熔剂生长磷酸铝晶体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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