本发明的课题在于提供离子导入能力优秀的活性物质粒子。本发明的硅系活性物质粒体具有层构造。需要说明的是,此处所说的“硅系活性物质粒体”例如为锂离子二次电池的负极形成用的活性物质粒体。作为锂离子二次电池的负极形成用的活性物质粒体,例如为:硅(Si)、或氧化硅(SiOx)、含有锂(Li)等碱金属元素或镁(Mg)等碱土金属元素的含金属元素氧化硅、硅合金等,所谓的Si系活性物质。另外,在该活性物质粒体中,层的厚度优选在1μm以下。另外,在此,层的厚度在此优选为0.01μm以上。
声明:
“硅系活性物质粒体以及硅系活性物质前体粒体和其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)