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制造近化学计量比的单晶薄膜的方法

673   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:19:18
本发明公开了一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法,该方法包括:通过离子注入法将离子注入原始基板的表面,从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层;使目标基板与原始基板的薄膜层接触,进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起,以形成键合体;对键合体进行加热,使得薄膜层和余质层分离;在薄膜层和余质层分离之后,在装有扩散剂的预定容器内以200℃~700℃的温度对薄膜层加热,其中,扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种。本发明的方法,可以有效地避免单晶薄膜缺失锂相的问题,制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜。
声明:
“制造近化学计量比的单晶薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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