本发明公开了一种1T相单层二硫化钨纳米片的制备方法,具体步骤为:将硫代钨酸铵和锂盐化合物按1 : 2摩尔比混合研磨,研磨后的混合物在惰性气体保护下于800?1300℃保温1?10h,冷却至室温得到插锂的1T相硫化钨块体;将插锂的1T相硫化钨块体置于去离子水中,辅助超声水解剥离5?30min,再将得到的悬浮液置于离心机中,经离心分离去除未剥离的沉淀物后得到1T相单层WS2纳米片悬浮液;将1T相单层WS2纳米片悬浮液在离心机上分别用水和乙醇离心洗涤去除可溶性杂质,最后将沉淀物1T相单层WS2纳米片分散于小分子溶剂中保存,该1T相单层WS2纳米片的厚度小于1nm。本发明工艺操作简单,反应条件温和,所用试剂价格低廉,绿色环保。
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