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1T相单层二硫化钨纳米片的制备方法

962   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 23:05:34
本发明公开了一种1T相单层二硫化钨纳米片的制备方法,具体步骤为:将硫代钨酸铵和锂盐化合物按1 : 2摩尔比混合研磨,研磨后的混合物在惰性气体保护下于800?1300℃保温1?10h,冷却至室温得到插锂的1T相硫化钨块体;将插锂的1T相硫化钨块体置于去离子水中,辅助超声水解剥离5?30min,再将得到的悬浮液置于离心机中,经离心分离去除未剥离的沉淀物后得到1T相单层WS2纳米片悬浮液;将1T相单层WS2纳米片悬浮液在离心机上分别用水和乙醇离心洗涤去除可溶性杂质,最后将沉淀物1T相单层WS2纳米片分散于小分子溶剂中保存,该1T相单层WS2纳米片的厚度小于1nm。本发明工艺操作简单,反应条件温和,所用试剂价格低廉,绿色环保。
声明:
“1T相单层二硫化钨纳米片的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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