本发明涉及掺杂锂的金刚石:掺杂了锂和氮的低 电阻率的n-型半导体金刚石,以及制备这种金刚石的方法。 低电阻率的n-型半导体金刚石一共包含 1017cm- 3或者更多的锂原子和氮原子,其中锂原子被掺 杂到碳原子晶格间隙位置,氮原子被掺杂到碳原子的置换位置 上,锂和氮保持互相相邻的排列。为了得到低电阻率的n-型 半导体金刚石,在金刚石气相合成方法中,利用真空紫外光通 过光激发光离解源材料和用准分子激光照射锂源材料以散射 并提供锂原子,使得金刚石得以被制造出来。
声明:
“低电阻率n-型半导体金刚石及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)