本发明公开了一种硅基
负极材料、其制备方法及用途,所述
硅基负极材料包括内核,所述内核包括硅、硅氧化物及M的硅酸盐;所述硅氧化物的化学式为SiOx,0<x<2,所述M为金属;及碳被膜,所述碳被膜形成于所述内核的表面,所述碳被膜的厚度为50nm‑200nm。所述方法包括:对硅复合物进行碳包覆处理,以在所述硅复合物表面形成厚度为50nm‑200nm的碳被膜,得到硅基负极材料。本发明通过适宜厚度的碳被膜包覆硅复合物能够显著提升硅复合物的容量效率和循环性能。
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“硅基负极材料、其制备方法及锂离子二次电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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