本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜光波导结构以及
芯片,其中,铌酸锂薄膜光波导结构,包括下包层、薄膜基板和上包层,下包层形成于基底晶片的上方,薄膜基板放置于下包层的上方;还包括下述结构中的一种:第一:薄膜基板的上表面形成有脊形结构,脊形结构为在薄膜基板的上表面形成得到的凸起结构;上包层由形成于脊形结构的左侧、右侧以及上方的介质材料构成;第二:薄膜基板进行完全的刻蚀处理,形成独立的薄膜基板芯层,薄膜基板芯层放置于下包层的上方,上包层由形成于薄膜基板芯层的左侧、右侧以及上方的介质材料构成。本申请结构能够降低光波导的折射率差,减少高阶光波模式在铌酸锂薄膜光波导中的存在,并增大光波模式的空间分布尺寸。
声明:
“铌酸锂薄膜光波导结构以及芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)