本发明涉及铌酸锂(LiNbO3)晶体化学机械抛光(CMP)后,铌酸锂晶体表面的应力控制方法。本发明铌酸锂晶体CMP后应力控制方法,CMP刚刚完成后清洗时,采用逐渐慢慢加大水抛清洗液流量,充分释放铌酸锂晶体表面的热应力,达到铌酸锂晶体内外热应力一致,从而有效地避免了铌酸锂晶体清洗过程中易产生开裂、碎晶的问题发生,完美实现了铌酸锂晶体CMP后的应力控制,大大提高了铌酸锂晶体因开裂、碎晶导致的加工良率。
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