本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构,属于光电集成
芯片领域;该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方,激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的铌酸锂光波导中传输,满足InP基激光器芯片与薄膜铌酸锂光芯片的低损耗异质集成需求。
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“InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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