一种铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法,其特点是 采用
碳酸锂(Li2CO3)和
氧化铝(Al2O3)或氧化镓(Ga2O3)为原料,按照一定比例配料,压制成块,直接装入坩埚,坩埚密封后置于钟罩式真空电阻炉内,用垂直温梯法生长晶体。原料中采用碳酸锂(Li2CO3),使得密封坩埚内是含CO2和O2的局部氧化气氛,这样既避免了炉内氧化气氛对发热体和保温材料的氧化污染,又有效克服了熔体组分因为还原气氛而挥发的问题,可以生长出作为InN-GaN基蓝光衬底的大面积的铝酸锂和镓酸锂晶体。
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