本发明公开了一种反铁电体与GaN半导体组成的复合陶瓷,其结构式为(1‑x)PNZST:xGaN,其中0.01≤x≤0.10;PNZST的具体结构式为Pb0.99Nb0.02[(Zr0.57Sn0.43)1‑yTiy]0.98O3,0.060≤y≤0.067。本发明通过两步固相烧结反应法制得,GaN的加入实现了基体材料从反铁电相转变为铁电相,通过温度诱导,
复合材料会随着温度的变化而发生铁电‑反铁电相变,而实现较大的极化强度变化率,从而获得优异的热释电性能。这种新的工艺方式为热释电材料的发展开拓了新的材料设计思路,为非制冷红外探测技术领域提供材料基础。
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