本发明涉及一种SiC晶须与C‑AlPO
4粉末协同改性莫来石涂层的制备方法,选用C/SiC
复合材料为基体,通过化学气相沉积法制备SiC内涂层,后在SiC内涂层包覆C/SiC复合材料上采用溶胶‑凝胶结合空气喷涂工艺制备SiC晶须与C‑AlPO
4粉末协同改性莫来石涂层前驱体,最终通过烧结即可获得SiC晶须与C‑AlPO
4粉末协同改性莫来石涂层。该方法改善了传统溶胶‑凝胶工艺制备的涂层容易开裂、分布不均匀、结合强度不高等缺点,并可以满足微米级涂层厚度地控制,具有制备工艺简单,制备成本低,制备效率高,可满足大型构件、异性构件制备等诸多优势,便于大规模产业化应用,具有广阔的发展前景。
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“SiC晶须与C-AlPO4粉末协同改性莫来石涂层的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)