本发明公开了一种GO‑NiCoS‑NiMoLDH
复合材料,由氧化
石墨烯GO、片状NiCo2S4和纳米花状NiMoLDH构成;其中,GO为基体材料,微观形貌为纳米片结构,作用是导电基底利于电子的超高速输运;NiCo2S4的微观结构为纳米片结构,负载于GO的表面,作用是提供额外赝电容;NiMoLDH的微观结构为纳米片结构,嵌于NiCo2S4纳米片结构的表面,作用是增大NiCo2S4的比表面积;其制备方法为两步水热法,步骤1,GO‑NiCo2S4的制备;步骤2,GO‑NiCoS‑NiMoLDH的制备。作为超级电容器电极材料的应用,在0‑0.5 V范围内充放电,在放电电流密度为1 A g‑1时,比电容为1300‑1400 F g‑1;在放电电流密度为20A g‑1时,在3000圈循环后的循环稳定性为100%。具有以下优点:形成由纳米片组成纳米花的分层结构避免纳米片的聚集;NiCo2S4和NiMoLDH之间还存在协同作用。
声明:
“稳定的GO-NiCoS-NiMoLDH复合材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)