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原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法

999   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:16:05
本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法,所述制备方法包括:(1)浆料制备:将聚碳硅烷、催化剂、和溶剂混合球磨制得浆料,其中所述催化剂为铁、镍、和/或二茂铁;(2)真空高压浸渍:将C纤维预制体浸入所述浆料中,于真空状态下保持0.1~1小时,然后通入高压惰性气体至1~10MPa,保压1~4小时;(3)交联固化:将浸渍过的C纤维预制体放于空气中6小时以上进行交联固化制得预成型体;以及(4)高温裂解:将所述预成型体在保护气氛下以2~10℃/分钟的升温速率升温至1000~1300℃保温1~4小时,以在所述聚碳硅烷热解过程中在金属催化剂作用下原位生长SiC纳米线,从而制得所述原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料。
声明:
“原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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