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低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法

960   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 16:11:01
本发明公布了一种低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法,先将SiC颗粒加入到镁合金熔体中,搅拌均匀,然后将合金熔体浇注到置于脉冲磁场凝固装置的模具中,使复合材料熔体在低压脉冲磁场作用下完全凝固。本发明的优点是:(1)绿色环保、工艺简单、操作方便、易于控制,成本和投资少,该方法只需要对脉冲磁场的强度和合金的凝固速率进行控制;(2)无污染,脉冲磁场不直接接触合金熔体,不会对熔体产生污染,也不会对环境产生污染。
声明:
“低压脉冲磁场作用下改善SiC颗粒在镁基复合材料中分布的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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