本发明涉及一种喷雾造粒结合3DP和CVI制备碳化硅陶瓷基
复合材料的方法,首先将SiC晶须与PVA等添加剂混合后用喷雾干燥制备SiC晶须球形颗粒;再与糊精混合后利用3DP法打印得到SiC晶须素坯,低温氧化脱脂得到SiC晶须预制体;利用CVI工艺在预制体内引入SiC基体,获得各向同性的SiC
W/SiC复合材料。本发明利用当前流行的3DP技术制备预制体,3DP技术适合制备复杂形状零件,方便快捷,摆脱模具,可节约预制体的研发成本,缩短预制体的研发周期;结合喷雾造粒法制备3DP技术的粉体,并利用CVI工艺将预制体致密化,便可获得新型多尺度结构、各向同性、高强韧化的复合材料。
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