本发明涉及一种反应烧结C
f/SiC
复合材料和同步反应连接的方法,包括:将碳的前驱体浆料涂覆在至少两个C
f/C多孔前驱体待连接件的连接面之间、经固化形成多孔碳基连接层,得到预连接体,所述碳的前驱体浆料的主成分包括:25~55wt%碳源、25~35wt%溶剂、20~50wt%碳化硅粉体,所述碳源为无机碳源或/和有机碳源;将所得预连接体在1450~1650℃下进行液相渗硅,使得C
f/SiC复合材料的制备与连接同步完成。本发明简化生产工艺,降低多次高温处理过程带来的变形、开裂风险,更有利于制备更为复杂形状、大尺寸的C
f/SiC复合材料。
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