本发明提供一种Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料的制备方法，包括如下步骤：制备Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4粉末材料；将Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4粉末材料与Al3+按摩尔比1:0.5‑1.5混合，并分散到去离子水中，超声搅拌0.5‑1h；缓慢加热混合液至30‑90℃，并进磁力搅拌2‑10h，Al3+与Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4材料表面的Zn、Cu等元素发生微量离子交换，使Al3+负载于Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4表面；对磁力搅拌液进行固液分离，并将分离得到的粉末置于60‑80℃恒温电热干燥箱干燥3‑36h，即可得到Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料，其中负载的Al3+含量为Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4含量的0.3‑0.8wt％。本发明提供的Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料的制备方法，采用Al离子对Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4半导体材料表面进行修饰，能改善Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4材料的活性位点，提升材料的光催化活性。本发明还提供一种Al3+/Zn0.4(CuGa)0.3Ga2S4复合材料及其应用。
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编辑：管理员
来源：中冶有色网
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2025年05月16日 ~ 18日 
