聚偏氟乙烯基
复合材料的制备方法,它涉及一种复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有在低体积浓度(≤10%)陶瓷类填料下聚偏氟乙烯基复合材料介电常数不高的技术问题。本方法如下:一、晶化处理;二、施镀;三、熔融共混;四、磁化处理。本发明选用负载Ni壳的钛酸铜钙为填料,以PVDF为基体,在低体积浓度(≤10%)填加量下采用熔融共混-热压成型工艺,结合磁化处理手段,制备得磁化的PVDF/CaCu3Ti4O12@Ni复合材料,其介电常数高达12000~18000,并且该材料能保持聚合物基体所具有的优良机械性能。本发明属于复合材料的制备领域。
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