本发明公开了一种真空烧结制备碳化硅纳米线的方法,包括以下步骤:步骤(1):先将Si和SiO2混合,得到硅类混合物,然后将硅类混合物与
石墨烯混合,得到混合原料;步骤(2):将混合原料放入到高温真空烧结炉中,先将高温真空烧结炉内部抽真空,然后对高温真空烧结炉中充入氩气,再将高温真空烧结炉内部抽真空,将抽真空、充氩气、再抽真空这个过程重复至少1次;步骤(3):对高温真空烧结炉中真空状态下的混合原料进行烧结,先在2.5小时内从室温加热至1400?1500度,然后保温2小时,最后在2.5小时内降温至室温,得到真空烧结制备的碳化硅纳米线。该方法制备效率高,制备出的碳化硅纳米线的线形较好。
声明:
“真空烧结制备碳化硅纳米线的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)