权利要求
1.半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上外延生长外延材料层；
在所述外延材料层的至少部分区域形成导电区；
在所述外延材料层远离所述衬底的一侧制备栅极、源极和漏极；
在所述衬底远离所述外延材料层的一侧刻蚀形成通孔，所述外延材料层为刻蚀停止层；
在所述衬底远离所述外延材料层的一侧形成背金层，所述背金层延伸至所述通孔内，并通过所述导电区内的外延材料层与所述源极电学连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述外延材料层的至少部分区域形成导电区的步骤，包括：
在所述外延材料层的至少部分区域进行离子注入，以形成第一注入区；
将所述第一注入区激活，以形成所述导电区。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在衬底上外延生长外延材料层的步骤，包括：
在所述衬底上依次沉积成核层、第一外延层、第二外延层和帽层；
在所述外延材料层的至少部分区域进行离子注入的步骤，包括：
在至少部分区域内的所述成核层和所述第一外延层进行离子注入。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述导电区位于所述通孔上方，且所述导电区的形状与所述通孔的截面形状相适配。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述外延材料层的至少部分区域形成导电区的步骤之后，所述制备方法还包括：
在所述导电区周围形成绝缘区。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述导电区周围形成绝缘区的步骤包括：
在所述导电区周围进行离子注入，以形成所述绝缘区。
7.半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
衬底；
设置在所述衬底一侧的外延材料层；
设置在所述外延材料层远离所述衬底一侧的源极、漏极和栅极；
以及，设置在所述衬底远离所述外延材料层一侧的背金层；
其中，所述外延材料层的至少部分区域形成有导电区，所述衬底远离所述外延材料层的一侧形成有通孔，所述背金层延伸至所述通孔内，并通过所述导电区内的外延材料层与所述源极电学连接。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述导电区位于所述通孔上方，且所述导电区的形状与所述通孔的截面形状相适配。
9.根据权
声明：
“半导体器件的制备方法和半导体器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1895
编辑：中冶有色网
来源：深圳市时代速信科技有限公司
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2025年06月20日 ~ 22日 
