权利要求
1.一种氮化硅陶瓷薄片，其特征在于：包括陶瓷薄片，所述陶瓷薄片顶部设有涂层结构，所述涂层结构包括涂覆于陶瓷薄片上的过渡层，过渡层另一面涂覆有功能层，所述功能层另一面涂覆保护层;
过渡层为氧化铝，功能层为碳化硅，保护层为氮化钛。
2.一种氮化硅陶瓷薄片的制备工艺，用于制备权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷薄片，其特征在于：步骤如下：
S1原材料准备：氮化硅粉末、氧化镁烧结助剂、聚乙烯醇分散剂、聚乙烯吡咯烷酮粘结剂和润滑剂;
S2配料与混合：将氮化硅粉末与烧结助剂混合，使用球磨机对原料进行湿法球磨，球磨时间在12-24小时，加入适量的分散剂、粘结剂和润滑剂;
S3成型：使用胶带铸造法，将混合后的浆料均匀涂布在基板上，形成陶瓷薄片，成型后的薄片厚度为100-500 μm，成型后的薄片在干燥箱中进行干燥，并且配合表面处理装置进行完成，温度控制在80℃，确保水分蒸发;
S4脱脂与预烧结：将干燥后的陶瓷坯体在200-400°C下进行脱脂处理，去除有机添加剂，随后，在大气环境中进行预烧结，温度控制在800-1200°C，预烧结时间为2-4小时;
S5高温烧结：采用热压烧结，烧结温度控制在1700-1900°C，烧结时间为2-6小时，高温烧结过程需要保持氮气保护，烧结后的陶瓷薄片达到高密度，孔隙率低于1%;
S6后续加工：对烧结后的陶瓷薄片进行表面研磨和抛光处理，配合表面处理装置进行完成，确保薄片表面粗糙度小于0.5 μm，最后采用激光设备将薄片进行裁切;
S7涂层结构的制备：
S701底层涂覆：过渡层，选择氧化铝，采用溶胶-凝胶法，将铝异丙醇溶于醇类溶剂中，调节pH值后生成溶胶，接着将溶胶均匀涂布在氮化硅薄片表面，涂层厚度为100-200 nm，然后在80°C下干燥，然后在500-700°C进行退火;
S702中间层涂覆：功能层，选用碳化硅，采用物理气相沉积方法，在真空环境下进行材料蒸发沉积，将中间功能层均匀沉积在底层涂层之上，厚度控制在1-10 μm;
S703表面保护层涂覆：使用氮化钛，采用磁控溅射沉积工艺，在真空室中进行磁控溅射，将氮化钛沉积在中间功能层上，形成厚度为500 nm-1 μ
声明：
“氮化硅陶瓷薄片及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：福建臻璟新材料科技有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
