权利要求
1.一种单晶硅金刚线切割废料制备纳米硅粉方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将单晶硅金刚线切割废料溶于无水乙醇中，配置成悬浮液，将悬浮液经过双动力卧式砂磨系统进行多级循环砂磨处理，得到浆料，其中，在砂磨前与砂磨过程中分别加入分散剂;
S2：向S1中砂磨所得的浆料中加入分散剂，并进行喷雾干燥处理，以获得干燥的硅粉;
S3：将硅粉进行粉碎解聚处理，再进行磁选分离去除硅表面的金属，得到纳米硅粉。
2.根据权利要求1所述的一种单晶硅金刚线切割废料制备纳米硅粉方法，其特征在于，所述S1中单晶硅金刚线切割废料与无水乙醇的质量比1:1~1:10。
3.根据权利要求1所述的一种单晶硅金刚线切割废料制备纳米硅粉方法，其特征在于，所述S1中的双动力卧式砂磨系统是由研磨物料动力系统与分离物料动力系统组成的一体单罐式砂磨系统，具体为在研磨罐中先研磨单晶硅金刚线切割废料，再在研磨罐中进行离心分离废料和研磨介质，其中，多级循环砂磨均在同一罐中进行砂磨。
4.根据权利要求1所述的一种单晶硅金刚线切割废料制备纳米硅粉方法，其特征在于，所述S1中多级循环砂磨为三级循环砂磨，每级循环砂磨的研磨介质为0.1-1 mm的氧化锆珠，砂磨转数为1000~1350 rpm，一级砂磨时间为3~7.5 h，二级砂磨时间为7~15 h，三级砂磨时间为10~15 h。
5.根据权利要求1所述的一种单晶硅金刚线切割废料制备纳米硅粉方法，其特征在于，所述S2中喷雾干燥进口温度为180-220℃，出口温度为80-100℃。
6.根据权利要求1所述的一种单晶硅金刚线切割废料制备纳米硅粉方法，其特征在于，所述S3中将硅粉进行粉碎解聚处理，具体为将团聚硅粉进行打散还原至纳米粒度，解聚设备为气流粉碎机;所述硅表面的金属包括Fe、Ni、Ca、Al、Zn，磁选设备为干法磁分离机。
7.根据权利要求1所述的一种单晶硅金刚线切割废料制备纳米硅粉方法，其特征在于，所述S1与S2中的分散剂为十六烷基三甲基溴化铵、六偏磷酸钠、聚乙烯吡络烷酮、三乙醇胺、聚乙二醇2000、羧甲基纤维素钠、焦磷酸钠、柠檬酸钠、十二烷基苯磺酸钠、聚醚多元醇中的一种或多种混合。
8.根据权利要求1所述的一种
声明：
“单晶硅金刚线切割废料制备纳米硅粉方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：深圳光风新能源科技创新中心有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
