权利要求书： 1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：通过湿法氧化在半导体基板的表面上形成氧化硅膜；以及将所述氧化硅膜连续地暴露于570°C至700°C的范围内的温度，以对所述氧化硅膜进行退火以转换为隧穿层，其中，在退火期间，所述氧化硅膜在第一时段内从低于700°C的温度被加热至700°C，在第二时段内保持在700°C的温度，并且然后在第三时段内冷却至更低的温度，其中，所述第一时段内的加热速率高于所述第三时段内的冷却速率，并且其中，所述第一时段为8至12分钟，并且所述第三时段比所述第一时段更长。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述氧化硅膜的步骤中，所述半导体基板的表面被暴露于由液体氧化剂制成的化学溶液。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述氧化硅膜的步骤是在60°C至90°C的范围内的温度下执行的。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述液体氧化剂是臭氧或过氧化氢。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述氧化硅膜的温度低于连续地暴露所述氧化硅膜的温度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体基板包括单晶硅基板。
7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述氧化硅膜上形成多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多晶硅层是通过使用低压化学气相沉积LPCD形成的。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多晶硅层是通过在等于或高于600°C的沉积温度下使用所述LPCD形成的。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述多晶硅层的步骤包括以下步骤：形成非晶硅层；以及
对所述非晶硅层进行退火，以形成所述多晶硅层。
11.根据权利要求7所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述多晶硅层上形成钝化膜；以及
形成通过穿透所述钝化膜而连接到所述多晶硅层的电极。
12.根据权利要求11所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述半导体基板的另一表面处形成掺杂区域。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述掺杂区域是通过将掺杂剂扩散到所述半导体基板中而形成的。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述多晶硅层的导电类型与所述半导体基板的导电类型相同，并且其中，所述掺杂区域的导电类型与所述半导体基板的导电类型相反。
说明书：
声明：
“制造太阳能电池的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：上饶市晶科绿能科技发展有限公司
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2025年05月16日 ~ 18日 
