权利要求书： 1.一种碳化硅预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）球磨：采用低能球磨机对碳化硅颗粒进行球磨；（2）氧化：对球磨后的碳化硅颗粒加热并通入氧气，氧化过程中对碳化硅颗粒进行机械搅拌，使其表面氧化；（3）筛分：对氧化后的碳化硅颗粒进行震动筛分，得到预处理的氧化硅颗粒。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅预处理方法，其特征在于，所述球磨前对碳化硅颗粒进行清洗。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅预处理方法，其特征在于，所述球磨采用卧式低能球磨机，采用尼龙研磨罐和碳化硅研磨球对碳化硅颗粒进行球磨。4.根据权利要求3所述的一种碳化硅预处理方法，其特征在于，所述球磨的参数为：转速100 300r/min，球磨时间5 30h，碳化硅与研磨球体积比为1:(1 3)，球磨介质选用去离子~ ~ ~水，球磨结束后，取出浆料置于100 300℃下进行烘干。~5.根据权利要求1所述的一种碳化硅预处理方法，其特征在于，所述氧化为：将球磨后的碳化硅颗粒置于氧化管中加热并通入氧气，氧化过程采用氮化硅搅拌桨进行机械搅拌。6.根据权利要求5所述的一种碳化硅预处理方法，其特征在于，氧化温度为800 1300~℃，通氧量为0.1 0.8L/min，氧化时间1 8h；搅拌桨的搅拌速率为5 50r/min。~ ~ ~7.利用权利要求1?6任一项所述方法得到的碳化硅，其特征在于，所述碳化硅粒径10?40μm，平均长径比1.2 3.5，氧化膜厚度为10?400nm。~8.一种权利要求7所述碳化硅在铝基复合材料制备中的应用，其特征在于，配制铝合金基体的成分原料，在真空环境下熔化得到铝合金熔体，将预处理后的碳化硅颗粒加入铝合金熔体中并进行真空跃迁变速搅拌，随后对铝合金熔体进行细化和变质，将铝合金熔体浇铸，冷却后得到碳化硅增强铝基复合材料。 说明书： 一种碳化硅预处理方法及在铝基复合材料制备中的应用技术领域[0001] 本发明涉及合金材料技术领域，具体涉及一种碳化硅预处理方法及在铝基复合材料制备中的应用，所述铝基复合材料通过搅拌铸造及复合变质细化制备得到。背景技术[0002] 铝基复合材料因其高比强度、比刚度、耐磨性、低热膨胀系数以及良好的导热和尺寸稳定性等优异的性能，成为近年来发展的热点。其中以SiC为代表
声明：
“碳化硅预处理方法及在铝基复合材料制备中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：北京航空航天大学
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2025年06月13日 ~ 15日 
