权利要求书： 1.一种高通量筛选用Ta?W?Nb?Al?Cr?Ti?Si系高熵合金渗镀层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1）按照成分提供靶材；成分表达式为：(TaaWbNbc)x(AldCreTifSig)100?x，其中，6
100；a、b和c的取值满足Ta、W、Nb中任意两种元素的物质的量之差不超过Ta、W、Nb总物质的量的2%；d、e、f和g的取值满足Al、Cr、Ti、Si中任意两种元素的物质的量之差不超过Al、Cr、Ti、Si总物质的量的1%；靶材为TaWNb合金靶和AlCrTiSi合金靶；或者靶材为TaWNb合金靶、TiAl靶、Cr靶和Si靶组合的栅极靶；或者是AlCrTiSi合金靶、Ta靶、W靶和Nb靶组合的栅极靶；
2）将所述步骤1）的靶材安装在加弧辉光等离子渗镀设备的靶位，将金属基体固定于加弧辉光等离子渗镀设备的试样台上，然后进行共渗镀；
所述渗镀层水平面方向横向为相同成分，水平面方向纵向Ta、W和Nb的原子百分含量呈梯度变化；所述渗镀层垂直水平面方向的界面部分Ta、W、Nb、Al、Cr、Ti、Si的成分布呈梯度变化。
2.根据权利要求1所述的高通量筛选用Ta?W?Nb?Al?Cr?Ti?Si系高熵合金渗镀层的制备方法，其特征在于：所述渗镀层由表面沉积层和扩散层组成；所述表面沉积层的厚度为10
15μm，所述扩散层厚度为5 10μm。
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3.根据权利要求1所述的高通量筛选用Ta?W?Nb?Al?Cr?Ti?Si系高熵合金渗镀层的制备方法，其特征在于：所述Ta、W和Nb在基片中心位置±4cm范围内成分梯度变化率为2 3%·~
cm?1，所述的Al、Cr、Ti和Si在该范围内的成分梯度变化率为1 2%·cm?1。
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4.根据权利要求1所述的高通量筛选用Ta?W?Nb?Al?Cr?Ti?Si系高熵合金渗镀层的制备方法，其特征在于：所述步骤2）中TaWNb合金靶和AlCrTiSi合金靶在靶位安装时为平行设置或者呈120°夹角设置。
5.根据权利要求1所述的高通量筛选用Ta?W?Nb?Al?Cr?Ti?Si系高熵合金渗镀层的制备方法，其特征在于：所述步骤2）中TaWNb合金靶的工作电压为700 750，AlCrTiSi合金靶~
的工作电压为800 900，基体的工作电
声明：
“高通量筛选用Ta-W-Nb-Al-Cr-Ti-Si系高熵合金渗镀层及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：中国兵器科学研究院宁波分院
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2025年05月09日 ~ 11日 
