1.本实用新型涉及化工设备技术领域，具体涉及一种高纯四氟化锗的制备装置。
背景技术：
2.在半导体工业中，高纯四氟化锗作为掺杂和离子注入剂，能够结合乙硅烷气体，直接在玻璃基底上制造硅锗微晶。在核工业领域电子级四氟化锗用于分离锗的同位素，其制备方式及设备长期被发达国家垄断及封锁。
3.申请号为200980138501.3名称为四氟化锗的制造方法和201921837493.9名称为一种四氟化锗的制备装置公开了两种四氟化锗的制备方法。200980138501.3采用稀释后的氟气与在料架上加热到一定温度的锗块进行反应，冷凝收集四氟化锗。201921837493.9在倾斜旋转加热管中投入锗粉，从下端通氟气并采用翻板将锗粉扬起反应，过滤后冷凝收集四氟化锗。
4.氟气与锗反应需要一定的反应温度，反应发生后又剧烈放热，对热量的管理是直接氟化法制四氟化锗的重点。在200980138501.3具体实施方法中，存在锗块反应热局部灼伤反应器的实例。其采用稀释氟气进行反应虽然可以有效控制反应速率，但不利于高效生产。且每次投料需要打开反应容器，增加了安全风险，对含有稀释气的氟气四氟化锗混合气进行冷凝也增加了资源浪费。201921837493.9投入锗粉与反应容器直接接触，对反应热的控制困难，反应容器的灼伤风险加剧。四氟化锗产物可能裹挟锗粉引入杂质，对产物纯度带来影响。
技术实现要素：
5.本发明的主要目的是提供一种高纯四氟化锗的制备装置，以解决背景技术中存在的问题，
6.为了解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种高纯四氟化锗的制备装置，包括依次用管道连接的环流气室、反应器、加压冷凝装置和收集装置，反应器顶部设置有给料器，所述给料器包括密封加料口、第一负压抽吸口和出料口，所述出料口设置在给料器底部，出料口内自上而下依次设有第一密封阀、加热器和第二密封阀；所述反应器用于氟气与锗反应，包括氟气入口、给料口、第二负压抽吸口和产品出口，给料口设置在反应器顶部并与出料口密封连接，氟气入口连接氟气气源，产品出口连接至加压冷凝装置和收集装置，加压冷凝装置用于氟气与锗反应生成四氟化锗后的液化，收集装置用于液化后的四氟化锗的收集储存。
7.进一步的，所述反应器内设有可更换的落料架。
8.本实用新型通过在给料器的出料口内设置的第一密封阀、加热器和第二密封阀，使少量锗粉可以隔绝在加热器内进行加
声明：
“高纯四氟化锗的制备装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：云南大学
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2025年05月23日 ~ 25日 
