1.本发明涉及半导体材料技术领域，尤其是涉及一种碳化硅晶片的表面处理方法。
背景技术：
2.碳化硅具有宽的禁带宽度，高热导率以及高的击穿电压，使得其在高频、高功率、抗辐射、极端条件下工作的器件有广泛应用。是一种极具潜力的半导体材料。
3.高质量的碳化硅晶片表面对制造高质量的外延片至关重要，进而决定半导体器件的性能。碳化硅单晶的莫氏为9.2，自然界中仅次于金刚石，对其进行物理加工难度非常高；而且碳化硅具有高的化学稳定性，如耐酸碱、耐氧化能力，这大大增加了化学机械抛光(cmp)和清洗过程中去除表面颗粒和金属的难度。
4.鉴于碳化硅材料的加工难度，目前常用的碳化硅晶片加工和清洗方法主要是双面或单面研磨、抛光、化学机械抛光和标准rca清洗，存在的主要问题是：加工晶片的翘曲度(warp)、弯曲度(bow)、面型(ttv和ltv)较差，表面颗粒和金属污染物无法很好的去除；对于前道切割工序产生的较大的变形没有修复能力；加工步骤繁琐，自动化程度低下，晶片表面质量和稳定性难以保证。晶片表面的上述缺陷会在外延生长和器件制备的过程中放大，导致芯片良率大大降低，是影响芯片良率的首要因素。
技术实现要素：
5.有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种碳化硅晶片的表面处理方法，本发明的处理方法处理的碳化硅晶片表面粗糙度低，平整度高，表面翘曲度低。
6.本发明提供了一种碳化硅晶片的表面处理方法，碳化硅晶片包括a表面和b表面；其表面处理方法包括：
7.a)将碳化硅a表面涂覆树脂膜，得到平整的a表面的碳化硅；
8.b)将a表面固定，将b表面进行打磨；
9.c)去除碳化硅a表面的树脂膜，固定打磨后的b面，将a面进行打磨，得到双面打磨的碳化硅晶片；
10.d)将双面打磨的碳化硅晶片抛光，即得。
11.优选的，步骤a)所述树脂膜的硬度为50到70hrd；所述树脂膜为填充弯曲的或凸凹起伏的碳化硅a表面至平整。
12.优选的，步骤b)所述打磨具体为采用树脂砂轮或金属结合剂砂轮中的一种或两种进行打磨；所述砂轮的目数为500～50000目；
13.步骤c)所述打磨具体为采用树脂砂轮或金属结合剂砂轮中的一种或两种进行打磨；所述砂轮的目数为500～50000目。
14.优选的，步骤b)所述固定具体为采用真空吸附的方法将碳化硅a面固定在吸附装置上；吸附装置带动碳化硅晶片转动，与砂轮相对
声明：
“碳化硅晶片的表面处理方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：北京天科合达半导体股份有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
