1.本技术涉及半导体技术领域，特别地涉及一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质。
背景技术：
2.功率半导体器件是电子装置中电路控制与电能转换的核心，主要用于改变电子装置中电压、频率和电流转换，如分立器件绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)、快速恢复二极管(fast recovery diode,frd)、金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)等，广泛应用于变频空调、洗衣机、冰箱为代表的家电及轨道交通、新能源等领域。由于功率半导体器件的使用特性及应用环境，决定了功率半导体器件的可靠性必须得到保证和提高，才能确保整个电力转换装置的可靠运行。其中，漏电流大小是评判功率半导体器件可靠性的重要指标，反向偏压越大，温度越高，其漏电流也越大。漏电流持续增大，器件损耗增大，器件稳定性就被降低。因此，需要使器件的漏电流控制在一定范围内并使其稳定。高温反偏试验(high temperature reverse bias，htrb)是监测漏电流的主要实验方法，具体为半导体器件的结温条件下，施加最大反偏电压的80％，在电和热应力的作用下，监控器件漏电情况。而器件的漏电流，不仅与芯片结构设计和晶圆的具体生产工艺强相关，而且封装所使用的塑封料对漏电流同样影响较大。
技术实现要素：
3.针对上述问题，本技术提供一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质，解决了现有技术中半导体器件封装所使用的塑封料对漏电流影响较大的技术问题。
4.第一方面，本技术提供了一种半导体器件塑封料选取方法，所述方法包括：
5.获取待封装半导体器件的额定工作信息及其钝化层的材料信息；
6.根据所述待封装半导体器件的额定工作信息，确定所述待封装半导体器件的封装形式；
7.根据所述钝化层的材料信息和所述封装形式，选取与所述钝化层的材料信息和所述封装形式均匹配的目标塑封料；其中，所述目标塑封料能够使得通过所述目标塑封料封装之后的所述待封装半导体器件在高温反偏试验中的漏电流小于第一预设阈值且该待封装半导体器件在高温反偏试验中于预设时间范围内的漏电流变化值小于第二预设阈值。
8.根据本技术的实施例，优选的，上述半导体器件塑封
声明：
“半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1068
编辑：中冶有色网
来源：珠海零边界集成电路有限公司
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年05月23日 ~ 25日 
