1.本技术涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种钝化接触电池及其制备工艺。
背景技术：
2.相较于其他传统的太阳能电池，掺杂氧化层钝化接触电池可以明显提高太阳能电池的光电转换效率，在目前已经占有一定的市场份额，具有极高的产业化价值。
3.目前，掺杂氧化层钝化接触电池技术关键部分是，首先在电池背面生长一层厚度约1.4nm的隧穿氧化层sio
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，然后沉积磷掺杂的n+-poly-si(重掺杂多晶硅)薄膜，经过高温退火后，能够有效地降低背面复合电流密度。
4.掺杂氧化层钝化接触电池在大规模量产的过程中，主要的技术路线主要有如下两种：
5.一种是采用低压化学气相沉积法(lpcvd)沉积隧穿氧化层和非晶硅薄膜，然后采用离子注入或磷扩散的方式对薄膜进行掺杂形成磷掺杂的多晶硅；另外一种是基于管式pecvd(等离子体增强化学气相沉积法)沉积技术，由于其绕镀更少，有利于外观和良率的控制，具有更高的量产优势。
6.但是，一方面，在pecvd沉积poly-si过程以及后续的高温退火过程中，存在严重的爆膜问题，导致电池光电转换效率降低。
7.另一方面，背面的重掺杂多晶硅在丝网印刷过程中的耐银浆腐蚀能力较弱，容易被金属刺穿从而增加金属复合，导致光电转换效率降低。
技术实现要素：
8.本技术的目的在于提供一种钝化接触电池及其制备工艺，能明显改善pecvd沉积得到的背面场钝化结构爆膜严重的问题；还能提高背面耐银浆腐蚀能力，从而减少金属刺穿现象，降低金属复合。
9.本技术的实施例是这样实现的：
10.第一方面，本技术实施例提供一种钝化接触电池的制备工艺，其背面场钝化结构的制备包括：
11.在硅片的背面生长隧穿氧化层；
12.在隧穿氧化层的表面生长本征碳化硅层；
13.在本征碳化硅层表面生长磷掺杂碳化硅层；以及
14.退火处理，以使磷掺杂碳化硅层中的磷与碳化硅形成共价键。
15.上述技术方案中，在背面场结构中，在隧穿氧化层的表面依次生长本征碳化硅层和磷掺杂碳化硅层，代替传统的多晶硅结构。在pecvd沉积工艺中，能明显改善爆膜的问题，有利于增强电池的钝化性能，并有利于使得voc(开路电压)和电池效率得到提升。由于sic
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相较于poly-si具有更高的硬度，在丝网印刷后的烧结过程中能提高背面耐银浆腐蚀能力，从而减少金属刺穿现象，降低金属复合，同样地有利于使得v
声明：
“钝化接触电池及其制备工艺的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：通威太阳能（眉山）有限公司
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2025年05月08日 ~ 10日 
