n型topcon电池片及其制备方法
技术领域
1.本发明属于太阳能电池技术领域,具体而言,涉及n型topcon电池片及其制备方法。
背景技术:
2.目前光伏市场主流电池产品为p型perc电池,下一代的升级产品最大可能为n型topcon电池,常规工艺路线topcon电池硼扩散后需要进行背面抛光工艺,目的为去除硅片侧边及背面边缘硼扩散绕镀,同时形成背面小方块结构,增强背面钝化效果。为了兼容电池背面金属的接触性能,电池背面碱抛方块大小只能控制在~5μm,相对于方块尺寸更大(>20um)的背面形貌结构,其钝化效果是相对较差,限制了电池性能的提升。
技术实现要素:
3.本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出n型topcon电池片及其制备方法,其中,采用该制备方法既可以提高硅片背面的钝化效果,同时还能提高硅片背面金属电极与硅基体的接触性能,能够降低电池的电阻,同时提高电池的开路电压、填充因子和电池转化效率。
4.在本发明的一个方面,本发明提出了一种制备n型topcon电池片的方法。根据本发明的实施例,该方法包括:
5.(1)提供单面含有硼扩散的n型硅片;
6.(2)以所述硅片背离硼扩散的一侧为背面,对所述硅片进行背面抛光处理,以便在硅片背面形成预期尺寸的方块形貌;
7.(3)在步骤(2)得到的硅片背面沉积硅氧化合物层;
8.(4)对所述硅氧化合物层进行局部激光开槽,以便去除开槽部位的硅氧化合物层并对下层硅进行烧灼,形成倒金字塔结构;
9.(5)对步骤(4)得到的硅片进行背面腐蚀处理,并去除未激光区域的硅氧化合物层;
10.(6)在步骤(5)得到的硅片背面沉积隧穿氧化层和多晶硅层,
11.其中,所述硅片背面金属栅线设置在对应开槽图形的位置。
12.本发明上述实施例的制备n型topcon电池片的方法至少具有以下优点:1、对硅片背面进行抛光时可以在硅片背面形成尺寸更大的方块形貌,例如可以使方块尺寸达到20μm左右,相对于现有背面抛光形成的5μm左右的方块尺寸,本发明中可以形成更大的方块尺寸形貌,进而使得钝化膜在更大方块、平整的硅基体上沉积更加致密,钝化效果更好;2、硅片背面形成尺寸更大的方块形貌时,背面抛光控制的刻蚀量与常规工艺相比也较大,由此能够确保电池侧面、背面绕扩层被完全去除,保证较好的电池并联电阻,
声明:
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