一种改变半导体材料pn型的制备方法
技术领域
1.本发明涉及半导体材料领域，尤其涉及一种通过改变制备参数可以改变材料的pn型制备方法。
背景技术：
2.p型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。n型半导体也称为电子型半导体。即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。当p型半导体和n型半导体紧密接触时，就会产生pn结结构，这种结构会在接触面附近产生空间电荷区。根据这个特性，利用pn结可以制造多种功能的晶体二极管，并广泛应用与现代工业中。
3.目前，pn结中的当p型半导体和n型半导体一般分别用复杂不同的掺杂制备工艺获得。利用pn结不同的特性，可以具有不同的应用，比如：整流二极管、检波二极管、雪崩二极管、隧道二极管、变容二极管、半导体激光二极管、光电探测器和太阳能电池等。因此在实际应用中就需要多种p型半导体和n型半导体的性质。目前的方法不可避免的伴随着工序复杂，制备周期长，成分不可变，成本高，成品尺寸大等缺点，很难更好的适应现在工业上的要求。
技术实现要素：
4.本发明的目的是一种改变半导体材料pn型的新方法。
5.本发明将一种硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜，通过控制制备条件，达到控制基片上半导体薄膜pn型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术(pulse laser deposition,pld)完成薄膜的制备，基片选择使用石英玻璃。上述靶材为znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
半导体掺杂材料。
6.本发明的半导体材料通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法制备znse:mo:ga薄膜，通过控制不同的制备条件，得到不同pn特性的半导体薄膜。
7.具体步骤如下：
8.1)制备znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
陶瓷靶材：
9.烧结是陶瓷生产过程中必不可少的一部分。本发明中采用固相反应烧结法制备了znse:mo:ga陶瓷材料，其摩尔配比为4:3:3；根据化学计量比利用电子天平对znse(99.99％)、mo(99.99％)和ga2o3(99.999％)的粉末进行称重，粉末在玛瑙砂浆中
声明：
“改变半导体材料PN型的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：中冶有色网
来源：北京工业大学
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2025年06月06日 ~ 08日 
