1.本发明涉及光伏电子浆料领域，尤其涉及用于低温烧结的晶体硅太阳电池银铝浆、制备方法、用途。
背景技术：
2.随着光伏技术的快速发展，高效晶体硅太阳电池凭借其高转换效率、寿命长等特性，逐渐成为光伏行业的主流，而相对低效的常规电池将逐渐退出市场。目前perc高效晶体硅太阳电池为主要技术路线，而n型电池技术也在快速发展。根据2020年itrpv研究机构对光伏市场预测，2020年n型电池占光伏市场的10％左右，2029年后将占到42％的市场份额。
3.n型太阳能电池主要包括hjt电池、n型topcon晶体硅太阳电池和ibc电池，其中除了hjt电池使用低温银浆外，其余电池均用高温银铝浆/银浆。n型topcon晶体硅太阳电池最先于fronhofure太阳能研究所开发，它结合了热氧化膜钝化+多晶硅薄膜接触等新技术，具备高开压、大电流、高ff等特性，成为近两年来国内大型光伏电池公司/研究机构研究的重要课题。n-topcon电池是n-pert技术的进一步升级，目前规模产业化的厂家主要有中来光伏、林洋科技、晶科能源、通威太阳能、英利等。尽管目前的问题还较多，工艺较为复杂，但批量效率已经达到24.0％左右。天合光能制备的大规格n型多晶i-topcon电池的最高效率达到24.58％的新世界记录，为n型topcon电池展示了其潜在的竞争力。
4.然而，n型topcon晶体硅太阳电池背面采用1～2nm隧道氧化层—100nm多晶硅膜—钝化层的结构设计，要求背面银浆的腐蚀性更低；同时，正面的p+层表面掺杂浓度较低，单纯的正银浆料无法形成良好的欧姆接触，需要采用正面银铝浆才能与p+形成良好的功函数匹配。
5.目前的太阳电池银铝浆一般都需要760～780℃的高温烧结，烧结温度较高，容易出现烧穿背面多晶硅膜和隧道氧化层的问题。而且，正面银铝浆的钉扎作用也会更明显，金属诱导复合速度明显增加，不利于实现高开压和高转化效率特性。现有银铝浆配方若在720～750℃烧结，接触性能较差，接触电阻率高，转换效率低。随着n型topcon晶体硅太阳电池的开发，n型topcon晶体硅太阳电池背面的多晶硅薄膜越来越薄，对烧结温度越来越敏感，对正面银铝浆的匹配性提出了更高的要求。
技术实现要素：
6.本发明的目的在于提出一种用于低温烧结的晶体硅太阳电池银铝浆、制备方法及其用途，以解决现有技术中太阳电池银铝浆的烧
声明：
“用于低温烧结的晶体硅太阳电池银铝浆、制备方法、用途与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：佛山市瑞纳新材科技有限公司
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2025年06月13日 ~ 15日 
