1.本发明属于芯片性能测试技术领域，具体涉及一种射频芯片筛测方法的设计。
背景技术：
2.射频芯片在制造或加工过程中，将不可避免地受到外力作用，可能产生微裂纹。同时，芯片在封装过程中也会出现包括引线变形、翘曲、芯片破裂、分层和外来颗粒等缺陷，虽然以上缺陷都有相应的缺陷检测测试方法，但是所有缺陷检测方法都不是百分百有效，导致部分存在潜在缺陷的芯片会进入芯片量产测试流程。
3.存在潜在缺陷的芯片会在后续的使用过程中，或一定的环境条件下出现性能下降、间歇性失效，甚至完全失效的风险。潜在缺陷的芯片一旦出现上述故障，将会影响电路以及整个系统的质量及可靠性，从而带来巨大的经济损失。因此提高射频芯片的出厂良品率对于提高电路以及整个系统的可靠性具有重要意义。
技术实现要素：
4.本发明的目的是为了解决现有射频芯片的缺陷检测方法无法将具有潜在缺陷的异常芯片完全筛选出来，导致部分存在潜在缺陷的射频芯片会进入芯片量产测试流程的问题，提出了一种射频芯片筛测方法。
5.本发明的技术方案为：一种射频芯片筛测方法，包括以下步骤：
6.s1、在待测射频芯片的cp测试阶段，在待测射频芯片的vdd端口依次输入五点等步进电压，并依次记录cp测试阶段每个输入电压对应的输出电流值。
7.s2、根据cp测试阶段每个输入电压对应的输出电流值计算cp测试阶段的电流一阶差值导数。
8.s3、根据cp测试阶段的电流一阶差值导数计算cp测试阶段的电流二阶差值导数。
9.s4、根据cp测试阶段的电流二阶差值导数计算cp测试阶段的电流四阶差值导数。
10.s5、针对cp测试阶段选取的n个测试标准件，重复步骤s1～s4，得到n个cp测试阶段的电流四阶差值导数，并对其求平均差，得到修正参数。
11.s6、在待测射频芯片的ft测试阶段，在待测射频芯片的vdd端口依次输入五点等步进电压，并依次记录ft测试阶段每个输入电压对应的输出电流值。
12.s7、根据ft测试阶段每个输入电压对应的输出电流值计算ft测试阶段的电流一阶差值导数。
13.s8、根据ft测试阶段的电流一阶差值导数计算ft测试阶段的电流二阶差值导数。
14.s9、根据ft测试阶段的电流二阶差值导数计算ft测试阶段的电流四阶差值导数。
15.s10、采用修正参数对ft测试阶段的电流四阶差值导数进行修正，得到修正电流四阶差值导数。
16.
声明：
“射频芯片筛测方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
780
编辑：中冶有色网
来源：成都嘉纳海威科技有限责任公司
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年05月09日 ~ 11日 
