1.本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体芯片封测用电子陶瓷加热器及其制备方法。背景技术：2.半导体芯片等半导体元件的生产过程中，半导体元件把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求的过程称为封装后测试（简称封测），对半导体芯片进行封测时需要用到电子陶瓷加热器，目前，已研发出高温共烧陶瓷发热片(mch)，mch直接在al2o3氧化铝陶瓷生坯上印刷电阻浆料后，后在1600℃左右的高温下共烧，然后再经电极、引线处理后，获得新一代中低温发热元件。但氧化铝陶瓷基板热导率较低，膨胀系数较高，在大功率工况下易产生冷热温差形成热应力从而使产品失效。且在小型应用领域，除了要求较高的热导率外还要求产品具有较高的机械性能。3.申请人在前几年提出的专利号为2013107411448，名称为《采用复合粉末粒型制备氮化铝陶瓷基片的方法》的发明专利中，提出了一种采用复合粉末粒型制备氮化铝陶瓷基片的方法，其创新点在于：氮化铝和氧化铝复合粉体经过等离子体活化煅烧后、加入助烧剂、有机混合溶剂和其他辅助溶剂进行球磨，经过真空除泡后流延成型，流延生坯经预烧结和烧结步骤得到氮化铝陶瓷基片。本发明采用氧化铝和氮化铝的复合粉末为原料，经过等离子煅烧，改变粉末表面状态，提高粉末表面原子活性和原子的扩散能力，有助于加速烧结过程，降低烧结温度；烧结过程中在还原性气氛中烧结，通过还原反应形成新生态原子，从而加速烧结过程，节约生产成本，适合工业化生产。4.专利号为2018106876686，名称为《3d陶瓷后盖的制备方法》的发明专利中，公开了一种3d陶瓷后盖及其制备方法。上述3d陶瓷后盖的制备方法，包括如下步骤：s1、将陶瓷原料加入球磨机中进行球磨，制备成分散均匀的流延浆料，流延浆料经脱泡处理后流延得到膜带生坯；s2、将膜带生坯冲切成平板生坯和边框生坯；s3、将至少一平板生坯与至少一边框生坯叠加在一起进行温水等静压处理，平板生坯的一面与边框生坯的一面连接在一起，得到3d陶瓷生坯；s4、将3d陶瓷生坯进行排胶，得到3d陶瓷素坯，将3d陶瓷素坯进行烧结，得到3d陶瓷烧坯；s5、将3d陶瓷烧坯进行表面处理，得到3d陶瓷后盖。本发明所述陶瓷后盖制备方法，等静压工序无需采用模具，可以节省成本；并且烧坯变形率较低，缩短了加工时间。5.以氮化铝为基材的陶瓷基片相较于氧化铝陶瓷基片基片具
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“半导体芯片封测用电子陶瓷加热器及其制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：中冶有色网
来源：莱鼎电子材料科技有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
