本发明涉及一种GaAs
芯片失效分析样品及制备方法,该制备方法包括步骤:对GaAs芯片的基板进行研磨,使所述GaAs芯片露出晶背;对露出晶背的GaAs芯片进行热点定位,确认失效位置;对所述GaAs芯片的晶背进行物理减薄,使减薄后的厚度满足切割操作厚度;利用红外显微镜对减薄后的GaAs芯片进行扫描并再次确认所述失效位置;根据所述失效位置对减薄后的GaAs芯片进行切割并形成失效分析样品。本发明方法取消了传统化学法解封塑封体,避免了对GaAs芯片的金属走线的破坏,提高了制样成功率并保证了后续的失效分析效果。
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