本发明涉及半导体釉技术领域,具体涉及高压瓷绝缘半导体釉,半导体釉含有如下质量配比的组分:高钾低铁长石25~35份,坯泥8~14份,东胜土4~10份,锻滑石1~4份,石英粉20~30份,碳酸钡2~4份,氧化铁红12~18份,氧化铬绿1~3份,二氧化钛9~12份,锂辉石1~2份。本发明半导体釉的结构稳定性高,表面细腻,表面有光泽,且降低共熔点,提高熔解效率;同时,采用东胜土和坯泥,提高半导体釉浆的上釉后的结合能力。
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