本发明提供了一种芳基硅有机光电材料及其制备方法与应用,所述制备方法是将3‑溴‑9H咔唑与二苯基二氯
硅烷在低温下反应,得到化合物双(3‑溴‑9H‑咔唑‑9‑基)二苯基硅烷中间体,再将中间体与正丁基锂反应,然后加入氯代三苯基硅烷,制得芳基硅有机光电材料DSiDCzSi。本发明易于纯化,合成产率高,具有良好的热稳定性、溶解性及成膜性,同时还具有较高的三线态能级;此外,利用本发明芳基硅有机光电材料制备的溶液处理的电致发光器件,具有较高的外量子效率、较低的启亮电压以及稳定的电致发光性能,本发明对发展低成本且高效稳定的有机发光二极管具有重要意义。
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