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自适应的衬底切换电路结构及电池保护芯片

825   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:25:35
本发明提供了一种自适应的衬底切换电路结构及电池保护芯片,第一MOS管Q1的栅极作为GP引脚,第一MOS管Q1的漏极分别连接第三MOS管Q3的源极和第四MOS管Q4的栅极,第一MOS管Q1的源极分别连接第四MOS管Q4的源极和第三MOS管Q3的栅极,第一MOS管Q1的衬底连接第二MOS管Q2的漏极;第二MOS管Q2的栅极作为GB引脚,第二MOS管Q2的源极分别连接第二MOS管Q2的衬底、第三MOS管Q3的衬底、第三MOS管Q3的漏极、第四MOS管Q4的漏极以及第四MOS管Q4的衬底。本发明提出的自适应衬底切换方案,使锂电保护芯片可以单芯片集成,同时实现充、放电功能,缩减了芯片面积和成本。
声明:
“自适应的衬底切换电路结构及电池保护芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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