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带有S缺陷的SnS@C分等级球的制备及其应用

1019   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 00:23:44
本发明提供了一种带有S缺陷的SnS@C分等级球的制备及其应用,采用简单的一步溶剂热法制备出前驱体,然后在400℃煅烧1小时,获得S缺陷的SnS@C分等级球材料。本发明中SnS@C分等级球是具有S缺陷的,这种结构有利于缓解锂离子在嵌入和脱出过程中材料所引起的体积膨胀。
声明:
“带有S缺陷的SnS@C分等级球的制备及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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