本发明公开了一种δ型二氧化锰纳米线束的制备方法,属于
半导体材料制备技术领域。该方法是以硝酸锰为锰源,通过简单的氧化还原反应可以直接得到低结晶性层状二氧化锰。低结晶性层状氧化锰在氢氧化钠溶液中水热处理,即可得到直径为10~50nm、长度为10~100μm的高结晶性δ型二氧化锰纳米线束。本发明方法简单,氢氧化钠用量少,生产成本低,产物收率高,且得到的δ型二氧化锰纳米线束的
电化学性能优良,有望作为超级电容器和锂离子二次电池的电极材料。
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