本发明公开了一种发泡中子吸收材料,将下述质量分数的混合物经发泡工艺制得发泡中子吸收材料:中子吸收剂10-60%和基体材料40-90%,所述中子吸收剂为碳化硼、铁氧体、
稀土化合物、氢化锂、石蜡中一种或多种。所述基体材料为水泥或高分子聚合物或两者的混合。由于创新的运用了“发泡”工艺,将大量的合成中子吸收剂,分散于发泡所形成的孔洞壁上。这种矩阵式泡孔溶洞,极大的扩展了捕捉中子射线的容量,使进入发泡体内部的中子射线,通电磁涡旋孔壁屏散,将散射中子波逐渐衰减吸收掉。
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