本申请属于半导体光催化技术领域,本申请提供了一种金属掺杂氮化碳材料及其制备方法和应用,其中,所述金属掺杂氮化碳材料为掺杂有金属元素的石墨相氮化碳,所述金属元素为锂、钠、钾、镁或铝。本发明所述的金属离子掺杂石墨相氮化碳,不仅在晶格中引入了缺陷或改变了结晶度,而且可吸附导带的电子,同时还抑制光生电子和空穴的复合,从而提高材料光催化的效率。通过光催化产氢实验结果,表明本发明所述的掺杂金属于石墨相氮化碳中可以改善光催化活性,利于应用。此外,本发明所述材料的制备方法简便,易于推广。
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